产品描述
PY32F003 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM® Cortex®-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 32Kbytes flash 和 4Kbytes SRAM 存储器,较高工作频率 32MHz。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,5 个 16bit 定时器,以及 2 路比较器。 PY32F003 系列微控制器的工作温度范围为-40℃~85℃,工作电压范围 1.7V~5.5V。芯片提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。 PY32F003 系列微控制器适用于多种应用场景,例如控制器、手持设备、PC 外设、和 GPS 平台、工 业应用等。 表 1-1 PY32F003 系列产品规划及特征 外设 PY32F 003F1 6U PY32F00 3F14U PY32F00 3F18P PY32F00 3F16P PY32F00 3F14P PY32F00 3F26P PY32F00 3F36P PY32F00 3F48P PY32F00 3F18S Flash memory (Kbyte) 32 16 64 32 16 32 32 64 64 SRAM (Kbyte) 4 2 8 4 2 4 4 8 8 定 时 器 高级 定时 器 1 (16-bit) 通用 定时 器 4 (16-bit) 低功 耗定 时器 1 SysTick 1 Watch dog 2 通 讯 口 SPI 2 I2C 1 USART 2 DMA 3ch RTC Yes 通用端口 18 18 18 18 18 18 ADC 通道 数 (外部 + 内部) 8+2 8+2 9+2 6+2 6+2 8+2 比较器 2 较高主频 32MHz 工作电压 1.7~5.5 V 封装 QFN20 TSSOP20 SOP20 PY32F003 Datasheet Rev1.7 5/49 COMP1 COMP2 HSI LSI RC 32KHz SRAM RCC Reset! & clock control Flash Memory Bus matrix CRC Decoder PORT B CPU CORTEX-M0+ fmax= 32MHz SWD NVIC IOPORT EXTI S-AHB TO S-APB T1M16/17 HSE POWER VCCIO VCCA VCC S-APB XTAL OSC 4-32MHz POR/BOR PVD SUPPLY SUPERVISION Voltage Regulator VDD System and peripheral clocks, System reset LPTIM USART1 USART2 S-APB VCC VSS NRST OSC_IN OSC_OUT SWCLK SWDIO as AF PA from peripherals IN+ IN- OUT 8xIN ADC I/F IN1,ETR as AF RX,TX,RTS,CTS, CK as AF SCL,SDA DMA I2C1 RX,TX,RTS,CTS, CK as AF SPI1 MOSI,MISO,SCK NSS as AF PORT F PORT A GPIO PB PF TIM1 CH1~CH4, BKIN, CH1N~CH2N, ETR as AF S-AHB Power domain of analog modules: VCCA domain VCC domain VCCIO domain TEST WWDG IWDG RTC PWR SYSCFG DBGMCU TIM3 TIM14 T sensor CH1~CH3, ETR as AF CH1 as AF CH1, CH1N BKIN as AF I/F 10MHz Filter RC 24MHz OBL reset WWDG reset IWDG reset HSI_10M INT_CTRL PVD_IN 1Hz Out as AF 图 1-1 功能模块 PY32F003 Datasheet Rev1.7 6/49 2. 功能概述 2.1. Arm® Cortex®-M0+ 内核 Arm® Cortex®- M0+是一款为广泛的嵌入式应用设计的入门级 32 位 Arm Cortex 处理器。它为开发人员提 供了显著的好处,包括: 结构简单,易于学习和编程 **低功耗,节能运行 精简的代码密度等 Cortex-M0+处理器是 32 位内核,面积和功耗优化高,为 2 级流水的冯诺伊曼架构。处理器通过精简但强 大的指令集和广泛优化的设计,提供高端处理硬件,包含单周期乘法器,提供了 32 位架构计算机所期望的** 性能,比其他 8 位和 16 位微控制器具有更高的代码密度。 Cortex-M0+与一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)紧密耦合。 2.2. 存储器 片内集成 SRAM。通过 bytes(8bits)、half-word(16bits)或者 word(32bits)的方式可访问 SRAM。 片内集成 Flash,包含两个不同的物理区域组成: Main flash 区域,它包含应用程序和用户数据 Information 区域,4KBytes,它包括以下部分:
PY32F030F18U6TR PY32F030E18M6TU PY32F030K28U6TR PY32F030K28T6 PY32F030K28T7 PY32F030K18T6 PY32F003F14U6TR PY32F003F14P6TU PY32F003L24D6TR PY32F003F16U6TR PY32F003F16P6TU PY32F003F26P6TU PY32F003W16S6TU PY32F003L16S6TU PY32F003L28S6TU
PY32F003F18STU PY32F003F18P7TU PY32F003F18P6TU PY32F003W18S6TU PY32F003L18S6TU PY32F003A18N PY32F002AL15S
PY32F002AW15S PY32F002AF15S PY32F103
PY32F002A PY32F403 PY32F072 PY32F072Rx PY32F072Cx PY32F072Kx
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