表现形式-45-85
设计类型烧录+编带
用途电子产品
品牌普冉
久为科技代理普冉单片机
产品特性
⚫ 内核与系统
– 32 位 ARM® CortexTM-M4 处理器内核，
支持 FPU 和 DSP 指令
– 典型工作频率可达 160MHZ
⚫ 存储器
– 高达 384K 字节的闪存程序存储器
– 高达 64K 字节的 SRAM
⚫ 时钟、复位和电源管理
– 1.7V ∼ 3.6V 供电
– 上电/断电复位（POR/PDR）、可编程电压
监测器（PVD）
– 外部 4 ∼ 32MHz 高速晶体振荡器
– 内嵌经出厂调校的 8MHz 高速振荡器
– PLL 支持 CPU 较高运行在 160MHZ
– 外部 32.768KHz 低速振荡器
⚫ 低功耗
– 睡眠、停机和待机模式
– VBAT 为 RTC 和后备寄存器供电
⚫ 3 个 12 位模数转换器，1μS 转换时间（多达 18
个输入通道）
– 转换范围：
0 ∼ VCCA
– 支持采样时间和分辨率配置
– 支持单次、连续、扫描和非连续多种转换模
式
– 片上温度传感器
– 片上电压传感器
⚫ 2 个 12 位数模转换器
– 输出范围：
0 ∼ VREFP
– 独立输出通道
– 支持 Timer、EXTI 触发
⚫ 12 通道 DMA 控制器
– 支持的外设：
Timer、
ADC、
DAC、UART、
I2C、 I2S、SPI、SDIO
⚫ 多达 80 个快速 I/O 端口：
– 所有 I/O 口可以映像到 16 个外部中断
– 部分端口支持 5V Tolerant 输入
⚫ 调试模式
– 串行单线调试（SWD）或 JTAG 接口
⚫ 多达 17 个定时器
– 2 个 16 位高级控制定时器，有 4 通道 PWM
输出，以及死区生成和紧急停止功能
– 10 个 16 位通用定时器，有高达 4 个独立通
道用于输入捕获/输出比较，通用定时器还支
持使用正交的两个输入的编码器接口
– 2 个 16 位基本定时器，通常用于产生 DAC
触发
– 2 个定时器（独立的和窗口型的）
– 系统时间定时器：24 位自减型计数器
⚫ 多达 13 个通信接口
– 5 个 UART 接口
– 2 个 I2C 接口
– 3 个 SPI 接口
– 1 个 ESMC 接口
– 1 个 CAN 接口
– 1 个 USB device 接口
– 1 个 SDIO 接口
⚫ 96 位的芯片一 ID（UID）
⚫ 采用 LQFP100、LQFP64、LQFP48 和 QFN36
封装
PY32F030K28T6 PY32F030K28T7 PY32F030K18T6 PY32F003F14U6TR PY32F003F14P6TU PY32F003L24D6TR PY32F003F16U6TR PY32F003F16P6TU PY32F003F26P6TU PY32F003W16S6TU PY32F003L16S6TU PY32F003L28S6TU
PY32F003F18STU PY32F003F18P7TU PY32F003F18P6TU PY32F003W18S6TU PY32F003L18S6TU PY32F003A18N PY32F002AL15S
PY32F002AW15S PY32F002AF15S PY32F103
PY32F002A PY32F403 PY32F072 PY32F072Rx PY32F072Cx PY32F072Kx
PY32F403T4T6 PY32F403T6T6 PY32F403T8T6 PY32F403TBT6 PY32F403C4T6 PY32F403C6T6 PY32F403C8T6 PY32F403CBT6 PY32F403R4T6 PY32F403R6T6 PY32F403R8T6 PY32F403RBT6 PY32F403RCT6 PY32F403RDT6 PY32F403V8T6 PY32F403VBT6 PY32F403VCT6 PY32F403VDT6
PY32F072R8T6 PY32F072C8U6 PY32F072CBU6 PY32F072C8T6 PY32F072CBT6 PY32F072RBT6 PY32F072VBT6
Arm® Cortex®-M0+ 内核
Arm® Cortex®- M0+是一款为广泛的嵌入式应用设计的入门级 32 位 Arm Cortex 处理器。它为开发人员提
供了显著的好处，包括:
结构简单，易于学习和编程
**低功耗，节能运行
精简的代码密度等
Cortex-M0+处理器是 32 位内核，面积和功耗优化高，为 2 级流水的冯诺伊曼架构。处理器通过精简但强
大的指令集和广泛优化的设计，提供高端处理硬件，包含单周期乘法器，提供了 32 位架构计算机所期望的**
性能，比其他 8 位和 16 位微控制器具有更高的代码密度。
Cortex-M0+与一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)紧密耦合。
2.2. 存储器
片内集成 SRAM。通过 bytes（
8bits）、half-word（16bits）或者 word（32bits）的方式可访问 SRAM。
片内集成 Flash，包含两个不同的物理区域组成：
Main flash 区域，它包含应用程序和用户数据
Information 区域，4KBytes，它包括以下部分：
Option bytes
UID bytes
System memory
对 Flash main memory 的保护包括以下几种机制：
read protection(RDP)，防止来自外部的访问。
wrtie protection（WRP）控制，以防止不想要的写操作（由于程序存储器指针 PC 的混乱）。写保护
的较小保护单位为 4Kbytes。
Option byte 写保护，专门的解锁设计。
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